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公开/公告号CN102312293B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-07
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201110257469.X
发明设计人 蒋毅坚;徐宏;范修军;王越;
申请日2011-09-01
分类号C30B29/16(20060101);C30B13/00(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人沈波
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 09:15:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-08-07
授权
2012-03-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20110901
实质审查的生效
2012-01-11
公开
机译: 通过浮区法生产的大型单晶使用绝缘组件或绝缘层来抑制加热线圈与多晶和生长块以及熔融区之间的电荷
机译: 浮区法生长单晶
机译: 浮区熔融法单晶生长装置
机译:浮区法的大尺寸单晶生长Ti4O7
机译:倾斜镜式浮区法生长大尺寸高品质铌酸锂单晶
机译:游动溶剂浮区法生长的双自由Nd(Ba_1-x,Nd_x)_2Cu_3O_7-delta单晶的临界电流密度
机译:浮区法生长的掺稀土Y3Al5O12单晶和透明陶瓷的光学性质
机译:浮区法生长的氧化亚铜晶体中的氧化铜夹杂物
机译:倾斜镜型浮区法的大尺寸锂铌酸铌单晶的生长
机译:浮区法(m-3)生长半导体化合物单晶Insb