法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-06
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B13/16 申请公布日:20160601 申请日:20160311
发明专利申请公布后的驳回
2016-06-29
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B13/16 申请日:20160311
实质审查的生效
2016-06-01
公开
公开
机译: 浮区熔融法单晶生长装置
机译: 在浮区法的基层上制造半导体晶体的方法,包括部分加热和熔化原材料晶体,以通过感应加热线圈在原材料晶体的旋转下形成熔融区。
机译: 通过浮区法生产半导体晶体包括:熔化半导体原材料,将材料粘结在籽晶上,在结晶侧生长半导体材料以及停止供应材料