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胡一明; 廖家轩; 杨函于; 王思哲; 吴孟强; 徐自强; 冯婷婷; 巩峰;
电子科技大学能源科学与工程学院;
铈镁交替掺杂; 钛酸锶钡薄膜; 高调谐; 介电性能;
机译:通过脉冲激光沉积制备的可调谐低损耗Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 / Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7 / Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3多层薄膜
机译:施主,受主和施主-共掺杂对可调谐器件应用Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜电学性能的影响
机译:K掺杂对射频磁控溅射制备Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜介电和可调谐性能的影响
机译:Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 / Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3双层薄膜的平面叉指变容二极管的射频/微波性能
机译:外延氮化钛/氮化铌和钒(0.6)铌(0.4)氮化物(0.4)/氮化铌超晶格薄膜的成核,结构和力学性能
机译:Ge / Si0.6Ge0.4 / Si异质结高性能无掺杂TFET的设计与研究
机译:LA0.6SR0.4CO0.2FE0.8O3-δ - 掺杂的二氧化铈复合氧电极的性能进一步改善,具有用于可逆固氧化物细胞的渗透掺杂掺杂的掺杂氧化铈纳米颗粒
机译:In(0.6)Ga(0.4)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管与In(0.53)Ga(0.47)as p-i-n光电二极管单片集成的性能特征
机译:用于高应力应用的铸铁组合物包含(以重量%计)2.5-3.5碳,2.5-4.5硅,最大2.5镍,0.10-0.45铌,最大0.4锰,0.01-0.10镁,最大0.004铈,0.001-0.004锑
机译:在薄膜表面(Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4上生产含Ag晶须的方法
机译:钨酸钡镁发光薄膜及其掺杂铈的制造方法以及电致发光器件
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