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莫党; 卢因诚; 李旦晖; 刘尚合; 卢武星;
无;
机译:光谱椭圆偏光法和卢瑟福背散射光谱法研究单晶硅中离子注入引起的损伤深度分布
机译:光谱椭圆偏光法和透射电镜研究离子注入InGaZnO薄膜的光学和结构性质
机译:硅中氖,氩和k离子注入退火损伤的比较研究
机译:光谱椭圆偏光法和卢瑟福背散射光谱法研究离子注入引起多晶硅和单晶硅损伤深度的比较研究
机译:研究了在电解溶液中和高温下(表面变形,化学机械效应)归因于单晶硅和砷化镓的裂纹和损伤。
机译:纳米压痕和透射电镜研究氦离子注入EUROFER97和EU-ODS EUROFER的辐照后退火后的空腔命运
机译:重掺杂离子注入激光退火硅的电子结构:椭圆光度法
机译:硅注入砷化镓的辐射损伤与退火效应研究
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:由溶液中存在的物质的浓度椭圆偏光法确定的设备。
机译:离子注入砷化镓镓衬底的退火工艺
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