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周国良; 陈可明; 田亮光;
无;
机译:利用分子束外延技术在Ge(111)上极低温外延生长Mn5Ge3和Mn5Ge3C0.2薄膜
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:掩模的边缘效应对分子束外延生长在图案化Si衬底上生长的SiGe薄膜的应变和形貌的影响
机译:分子束外延在001 Si衬底上低温生长的Si:Ce薄膜的磁性
机译:硅上激光分子束外延生长和Ⅲ族氮化物薄膜异质结构的性质。
机译:SiGe和GaAs衬底上铁电BaTiO3薄膜的分子束外延研究及其应用
机译:分子束外延生长的si衬底上的Insb红外光电探测器
机译:通过Si衬底上的分子束外延形成的Sigesn虚拟基板,用于GESN的应变生长
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:分子束外延生长形成的薄膜的导电类型的控制方法及使用该方法的分子束外延装置
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