机译:利用分子束外延技术在Ge(111)上极低温外延生长Mn5Ge3和Mn5Ge3C0.2薄膜
Aix Marseille Univ, CNRS, CINaM UMR 7325, F-13288 Marseille, France;
Aix Marseille Univ, CNRS, CINaM UMR 7325, F-13288 Marseille, France;
Aix Marseille Univ, CNRS, IM2NP UMR7334, F-13397 Marseille 20, France;
Aix Marseille Univ, CNRS, IM2NP UMR7334, F-13397 Marseille 20, France;
Aix Marseille Univ, CNRS, IM2NP UMR7334, F-13397 Marseille 20, France;
Aix Marseille Univ, CNRS, CINaM UMR 7325, F-13288 Marseille, France;
Univ Lorraine, CNRS, UMR 7198, Inst Jean Lamour, F-54506 Vandoeuvre Les Nancy, France;
Aix Marseille Univ, CNRS, CINaM UMR 7325, F-13288 Marseille, France;
Epitaxial growth; Low temperature; Reactive deposition epitaxy; Molecular beam epitaxy; Manganese germanide; Ferromagnetic resonance;
机译:使用Al-N_2O混合源分子束外延在化学氧化的Si(111)衬底上生长具有光滑表面的外延γ-Al_2O_3(111)膜
机译:等离子体辅助分子束外延在具有最佳生长温度和低温缓冲层的c-Al2O3(0001)衬底上二维生长ZnO外延膜
机译:等离子体辅助分子束外延在具有Cr化合物缓冲层的Si(111)衬底上生长ZnO薄膜
机译:在栅格中生长的外延SI薄膜匹配(LA_XY_(1-x))O_3 / SI(111)结构通过分子束外延
机译:通过反应分子束外延和材料表征,在蓝宝石衬底上生长纤锌矿型氮化镓外延膜。
机译:通过Au辅助分子束外延生长后的GaAs(111)纳米线和Si(111)衬底之间的晶格参数调节
机译:利用分子束外延技术在Ge(111)上极低温外延生长Mn5Ge3和Mn5Ge3C0.2薄膜