同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究

摘要

对同质硅分子束外廷层的界面缺陷进行了测试与分析，对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况。并分析了用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对其进行测试所需的条件，以及与常规的ＤＬＴＳ测试结果的不同之处，提出了可同时对该上电子的发射和俘获过程进行ＤＬＴＳ测量的方法。实验测量结果表明，该高密度的界面缺陷能级位置位