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祝传刚; 徐彭寿; 陆尔东; 徐法强; 潘海斌;
海军潜艇学院基础部,青岛,266071;
中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;
S钝化; 半导体界面; 电子结构; 磁性;
机译:一种新的增强GaAs(100)上Fe覆层磁性的方法:使用CH3CSNH2钝化硫
机译:通过LaTaON钝化层和氟的引入钝化GaAs金属氧化物半导体电容器中的氧化物陷阱和界面态
机译:衬底取向对使用HfO_2和硅界面钝化层的GaAs金属氧化物半导体电容器和自对准晶体管的电和材料性能的影响
机译:具有高k介电层和MOCVD生长的ZnO界面钝化层的GaAs上的金属氧化物半导体器件
机译:研究界面滑移和扩散机制对金属和金属间基复合材料蠕变的影响。
机译:在金属/铁磁膜界面处畴壁区域的超快自旋轮廓和自旋扩散特性的测量
机译:LaTaON钝化层和氟掺杂对Gaas金属氧化物半导体电容器中氧化物陷阱和界面态的钝化
机译:Inp,Gaas和si-金属界面的化学键合,相互扩散和电子结构
机译:用于保持环境影响的半导体组件尽可能小的湿度具有钝化层,该钝化层覆盖了其下方的金属区域并具有泪液捕获结构
机译:界面钝化结构,背面钝化太阳能电池以及界面钝化结构的制造方法
机译:生产用于高温超导体的基底带,包括成形非铁磁性或弱铁磁性金属载体材料,以及在镀覆在载体材料上之前施加界面层
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