AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

郝跃; 韩新伟; 张进城; 张金凤

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通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.

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来源
《物理学报》 |2006年第7期|3622-3628|共7页
作者
郝跃; 韩新伟; 张进城; 张金凤;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院,西安;

710071;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安;

710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
AlGaN/GaN HEMT; 直流扫描; 电流崩塌; 模型;

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