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马香柏; 张进城; 郝跃; 冯倩;
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院;
GaN; HEMT; 电流崩塌; 热电子应力; 大电场应力;
机译:AlGaN / GaN HEMT中的中性束工艺:对电流崩塌的影响
机译:高k钝化层对AlGaN / GaN HEMT中与缓冲有关的击穿和电流崩塌的影响分析
机译:沟道热电子对AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的影响
机译:电流崩塌对GaN基HEMT器件结构的依赖性
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:电流应力作用下GaN上HEMT器件的退化现象研究
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:薄图案化GaN中电流崩塌的控制
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