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宋淑芳; 陈维德; 许振嘉; 徐叙瑢;
北京交通大学光电子研究所,北京,100044;
中国科学院半导体研究所,北京,100083;
GaN; Er; Pr; 深能级;
机译:掺ErGaN薄膜的深能级和光致发光研究
机译:掺Er和Pr的GaN薄膜的电学表征
机译:掺Er的GaN薄膜的温度依赖性阴极发光研究
机译:氢化物气相法生长原位掺Er和掺Er的GaN薄膜的光致发光和光致发光激发光谱
机译:掺Er钇铝石榴石和氧化钇的动力学行为研究
机译:掺有微米级SrF2晶体的掺Er3 +的透明玻璃陶瓷排放量为2.7μm
机译:外加GaN薄膜中电流 - 电压 - 温度分析与深能级缺陷的相关性
机译:Er掺杂GaN薄膜光致发光的热猝灭
机译:掺有掺PRO程序的掺D光纤放大器中信号激发态吸收率的测量方法和计算机可读记录介质
机译:pr&t .; fmedium用于研究oberfl和auml的抗药性; chen,with pr&t .; fmedium a probek&all;研究oberfl&auml的抵抗力的身体和装置;陈
机译:大功率双包层(DC)泵浦掺Er光纤放大器(EDFA)
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