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窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡

         
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摘要

通过对调制掺杂的n型Hg082Cd0.16Mn0.02Te/Hg03Cd0.7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2006年第2期|786-790|共5页
  • 作者

    朱博; 桂永胜; 仇志军; 周文政; 姚炜; 郭少令; 褚君浩; 张福甲;

  • 作者单位

    兰州大学物理系,兰州,730000;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;

    兰州大学物理系,兰州,730000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    磁性二维电子气; 自旋分裂; sp-d交换相互作用; 拍频;

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