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半导体性单壁碳纳米管与其石墨衬底表面相互作用的第一性原理计算

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利用基于密度泛函理论的计算方法,研究了处于石墨(HOPG)表面的半导体性单壁碳纳米管,发现碳纳米管下面的石墨受碳管的作用向下凹陷,而纳米管本身虽然保持其形状不变,但它的电子态受石墨衬底影响,造成导带下移,禁带宽度明显减小.

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来源
《物理学报》 |2009年第10期|7147-7150|共4页
作者
王亮; 张朝晖;
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作者单位

北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
单壁碳纳米管; 密度泛函理论; 局域密度近似方法;

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