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熊浩; 周昶利; 曹政钦; 魏钢; 刘航; 邓保家;
重庆科技学院电气工程学院 重庆 401331;
国网重庆市电力公司检修分公司 重庆 400039;
国网重庆市电力公司电力科学研究院 重庆 401123;
SF6∕N2混合气体; 铑; 单壁碳纳米管; 一氧化氮; 密度泛函理论;
机译:一氧化碳在Mn装饰的Rh(111)和Rh(5 5 3)表面上的吸附和解离:第一性原理研究
机译:钙和钾在燃料再燃过程中对焦炭表面的催化作用:一氧化碳吸附在具有金属装饰的单壁碳纳米管上的第一性原理研究
机译:氢吸附对未掺杂和掺杂Cu的ZnO(10(1)over-bar0)表面性质的影响:第一性原理研究
机译:弯曲单壁碳纳米管外表面原子氧化学吸附的第一性原理研究
机译:吸附水对金红石型二氧化钛表面电场影响的第一性原理研究。
机译:吸附和掺杂Ce的石墨烯吸附Ag的第一性原理研究
机译:第一性原理研究空穴掺杂LaRhO3和CuRhO2中大热电势的起源
机译:二氧化甲基膦酸二甲酯在TiO2锐钛矿(001)表面吸附的第一性原理研究:形成稳定的钛氧基(Ti = O)位点
机译:单壁碳纳米管表面上基于分子的吸附质的电容传感
机译:用于制备和掺杂半导体表面的掺杂混合物,包括用于掺杂半导体表面的p型或n型掺杂剂,水和两种或多种表面活性剂的混合物,其中一种表面活性剂是非离子型表面活性剂
机译:板状晶片或半导体器件的掺杂表面的形成包括施加磷掺杂剂源,形成初级掺杂表面,去除掺杂剂源和结晶的沉淀物以及形成次级掺杂表面。
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