单向拉伸作用下Cu(100)扭转晶界塑性行为研究

摘要

应用分子动力学方法研究了在不同扭转角度下的Cu(100)失配晶界位错结构,以及不同位错结构对晶界强度的影响.模拟结果表明:小角度扭转晶界上将形成失配位错网,失配位错密度随着晶粒之间的失配扭转角度的增加而增加.变形过程中,位错网每个单元中均产生位错形核扩展.位错之间的塞积作用影响晶界的屈服强度:随着位错网格密度的增加,位错之间的塞积作用增强,界面的屈服强度得到提高.大角度扭转晶界将形成面缺陷,在变形中位错由晶界角点处形核扩展,此时由于面缺陷位错开动应力趋于一致,因此晶界的临界屈服强度趋于定值.