高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

摘要

采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*]/I[Hβ*] 比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I[Hβ*]/I[Hα*]的强度比值表明氢等离子体中的电子温度随Tfl的增加先减小后增加,相对应的红外吸收谱(FTIR)表明材料的微结构因子R先减小后增加,即氢等离子体的电子温度变化对材料质量有较大的影响.