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周炳卿; 朱美芳; 刘丰珍; 刘金龙; 谷锦华; 张群芳; 李国华; 丁琨;
中国科学院研究生院物理系;
北京100039;
内蒙古师范大学物理系;
呼和浩特010022;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
微晶硅薄膜; PECVD; 高速沉积;
机译:利用电压波形调整在低离子轰击能量下通过RF-PECVD沉积氢化微晶硅薄膜
机译:薄膜太阳能电池本征氢化非晶硅的沉积-通过RF-PECVD静态生长和通过VHF-PECVD动态生长的层的比较研究
机译:通过RF-PECVD沉积的氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的光学性质和结晶度
机译:RF-PECVD沉积优质P型微晶硅薄膜
机译:氢化非晶硅,微晶硅和硅基合金薄膜的沉积和表征。
机译:微孪晶和纳米孪晶解释了硅纳米线和硅薄膜中的奇数电子衍射图
机译:氢化非晶硅薄膜和器件的高速沉积
机译:使用脉冲状ECR等离子体清洁TFT-LCD的基板和高速沉积高质量非晶非晶硅薄膜的装置和方法
机译:用于薄膜沉积的等离子体处理装置以及使用该方法的微晶硅层沉积方法
机译:用于显示装置的均匀高速率沉积低电阻率的微晶硅膜的方法和设备
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