Pb(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3铁电薄膜激光感生电压效应

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaSrAlTaO3(LSATO),LaAlO3(LAO)和SrTiO3(STO)的单晶倾斜衬底上成功制备了Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT)薄膜,在三种倾斜衬底上生长的PZT薄膜中都首次发现了LIV效应.对PZT/LSATO薄膜在a,c轴两种不同取向择优生长下的LIV效应做了研究,发现在薄膜c轴取向择优生长的情况下,激光感生电压随着单脉冲激光能量的增加线性增大;而在a取向择优生长的情况下感生电压与激光能量并无明显变化规律,说明PZT薄膜上的LIV效应是原子层热电堆效应,Seebeck系数的各向异性起着重要作用.通过实现薄膜与传输线的阻抗匹配,LITV信号的响应时间得到了很好的改善,上升沿时间由原来的60ns下降到了26ns,半高宽由260ns下降到了38ns.