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Method of manufacturing oxide thin film, method of manufacturing ferroelectric thin film, ferroelectric thin film, ferroelectric memory device, and ferroelectric piezoelectric device

机译:氧化物薄膜的制造方法,铁电薄膜的制造方法,铁电薄膜,铁电存储装置以及铁电压电装置

摘要

A ferroelectric film manufactured by using a supercritical fluid. The supercritical fluid is a fluid which includes a ferroelectric element and is pressurized at a pressure ranging from the critical pressure to four times the critical pressure, for example.
机译:通过使用超临界流体制造的铁电薄膜。超临界流体是包括铁电元件并且在例如从临界压力到临界压力的四倍的范围内的压力下被加压的流体。

著录项

  • 公开/公告号US2004224180A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEIKO EPSON CORPORATION;

    申请/专利号US20030724635

  • 发明设计人 TAKESHI KIJIMA;EIJI NATORI;

    申请日2003-12-02

  • 分类号H01J19/78;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:25:41

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