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王英龙; 魏同茹; 刘保亭; 邓泽超;
河北大学物理科学与技术学院;
保定071002;
铁电薄膜; 自发极化强度; 电滞回线; 位错;
机译:失配弛豫和a域的形成对四方PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3 / PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3薄膜异质结构的电学性能的影响:实验和理论方法
机译:纳米级铁电畴的去极化场调谐(001)PBZR_(0.4)TI_(0.6)O_3 / SRTIO_3 / PBZR_(0.4)TI_(0.6)O_3外向异质结构
机译:低疲劳外延全(001)取向(Bi,La)_4Ti_3O_(12)/ Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6)O_3 /(Bi,La)_4Ti_3O_(12)三层薄膜的显微结构和铁电性能在(001)SrTiO_3基板上
机译:PB的有效方向控制(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3使用新型Ti / Pb的薄膜(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3播种层
机译:外延氮化钛/氮化铌和钒(0.6)铌(0.4)氮化物(0.4)/氮化铌超晶格薄膜的成核,结构和力学性能
机译:(100)/(001)取向四方外延Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜在电场作用下超快90°域转换的原位观察
机译:MgO中间层对在GaAs衬底上外延生长的Co sub 2 Cr sub 0.6 Fe sub 0.4 Al薄膜的结构和磁性的影响
机译:沉积速率对脉冲激光烧蚀Bi2sr2CaCu2O(8 + x)和Bi2sr(1.6)La(0.4)CuO(66 + x)外延薄膜生长的影响。
机译:在薄膜表面(Ag3AsS3)0.6(As2S3)0.4上生产含Ag晶须的方法
机译:测量半导体外延生长薄膜厚度的方法和仪器
机译:在10微米以下的薄膜厚度下,具有低卷曲现象且对高硬度有影响的硬质涂层
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