公开/公告号CN111733450B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第九研究所;
申请/专利号CN202010690248.0
申请日2020-07-17
分类号C30B19/00(20060101);C30B19/10(20060101);C30B29/28(20060101);
代理机构51235 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人黎仲
地址 621000 四川省绵阳市滨河北路西段268号
入库时间 2022-08-23 12:16:38
机译: 在基体上形成大面积,单晶,单层六方氮化硼薄膜的方法以及由此制备的六方氮化硼薄膜层压的方法
机译: 在石榴石合成的单晶中生产薄膜的方法以及按照这种方法获得的薄膜
机译: 大型单晶铁电薄膜的制造方法,使用其制造铁电薄膜电容器的方法以及使用该方法制造铁电存储装置的方法