液相外延法生长掺Bi磁光单晶薄膜材料

摘要

现代光纤通信系统需要小型化的隔离器等磁光器件,就要求法拉第旋转子材料有大的旋光率、适合的饱和外场、小的插入损耗.本文介绍一种以PbO/B203/Bi203为助溶剂的溶液中,用液相外延法在CaMgZr:GGG基片上生长(ReBi)3Fe5012单晶薄膜材料的方法,生长出的单晶薄膜材料厚度≥470μm、在λ=1310nm波长下旋光率≥1600°/cm,可制成45 °法拉第旋转子.