多孔硅对多晶硅太阳电池中缺陷和杂质的吸除效应

摘要

吸杂是减少硅中杂质和缺陷,提高多晶硅太阳电池效率的一种有效手段.本文比较了用三种吸杂方式对多晶硅进行处理的结果和影响:多孔硅吸杂,磷吸杂,多孔硅结合磷吸杂.三种吸杂方式都能明显提高多晶硅的少子寿命.在此基础上研究了多孔硅吸杂的工艺,发现多孔硅吸杂的效果随退火的温度和时间影响比较大,在800℃氮气气氛下退火3h,多晶硅的少子寿命能由原来的1.4μs提高到25.6μs.相比之下,多孔硅吸杂工艺简单,更适合工业生产.