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黄子乾; 李肖; 潘彬; 张岚;
南京大学物理系,南京,210016;
南京电子器件研究所,南京,210016;
金属有机化合物气相淀积; GaInP/GaAs双结叠层太阳电池; 隧穿结; 掺杂技术;
机译:休斯HS601HP双结GaInP_2 / GaA s / Ge太阳电池阵列的在轨性能
机译:外延剥离的GaInP单结和GaInP / GaAs两结薄膜太阳能电池结构
机译:通过分子束外延生长的GaAs / GaInP双结太阳能电池*
机译:通过外延升降机剥离GainP单结和GaInP / GaAs双结薄膜太阳能电池结构
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:全固态分子束外延生长的高效GaAs和GaInP太阳能电池
机译:高光浓度GaInP / GaAs双结太阳能电池的开发(高光浓度GaInP / GaAs双结太阳能电池的开发)。
机译:外延剥离对GaInp / Gaas异质结中界面复合和激光冷却的影响。
机译:异质外延单晶的制造方法,异质结太阳电池的制造方法,异质外延单晶的晶体,异质结太阳电池
机译:Nb-GaAs异质外延膜和GaAs-Nb-GaAs双异质外延膜的生产方法无效
机译:通过表观偏移和机械堆叠实现高效率和低成本的GaInP / GaAs / Si三重结
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