GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电流的改进

摘要

本文针对所研制GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电流较低的问题，分别对底电池、中电池和顶电池进行了理论分析与设计。Ge底电池窗口层设计的改进、(In)GaAs中电池适合含量In的引入、GaInP顶电池n/p结构设计改进，以及宽禁带隧穿结材料的选用，显著提高电池短路电流密度Jsc，达到16.5～17.5mA/cm2，GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电转换效率由此达到27.3％(AM0，25℃)。