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汤玉生; 郝跃;
上海交通大学微电子技术研究所;
西安电子科技大学微电子学所;
电子栅电流; 空穴栅电流; 分布模型; MOSFET;
机译:纳米级金属栅(Hf / A1NX)对称双栅MOSFET的边缘直接隧穿电流建模和估计
机译:纳米尺度下高k栅堆叠MOSFET结构的栅电流建模与优化
机译:纳米级金属栅(Hf / AlN_x)对称双栅MOSFET的带间隧穿电流建模与估算
机译:纳米级政题中P沟道对称双栅MOSFET的阈值电压和亚阈值电流的建模
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:基于故障分量电流分布和改进证据理论的新型广域后备保护
机译:不对称双栅MOSFET的投影范围依赖隧道电流
机译:线栅建模理论:高导电表面的标准
机译:-利用MOSFET中的栅诱导漏极漏电流来控制栅氧化损伤的局部热退火方法
机译:减少薄栅氧化物MOSFET中的栅感应漏极泄漏电流的方法和装置
机译:减少薄栅氧化物MOSFET中的栅感应漏漏电流的方法和装置
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