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张兴; 石涌泉; 黄敞;
不详;
数值模拟; 深亚微米薄膜; SOI器件; 集成电路;
机译:深亚微米双材料栅极(DMG)部分耗尽的SOI MOSFET中抑制短沟道效应的证据-二维分析方法
机译:深亚微米SOI动态阈值电压MOSFET的基于物理的二维电流模型
机译:具有横向非均匀掺杂分布的深亚微米SOI压入式栅极控制混合晶体管的准二维亚阈值电流模型
机译:二维数值模拟表征薄膜SOI晶体管的负电阻和双极闩锁
机译:适用于深亚微米时代的高性能SOI伪nMOS电路设计技术。
机译:聚焦在软固体中的冲击剪切波的数值模拟和二维二维非线性均质模型
机译:高压薄膜SOI器件线性掺杂分布的数值模拟
机译:深亚微米全耗尽sOImOsFET的DLTs和动态跨导分析
机译:二维电容耦合等离子体刻蚀的二维鞘层数值模拟方法及系统
机译:二维Rimannian问题数值模拟次声波非粘性流的数值方法
机译:二维浅水数值模拟中固体边界处部分滑移条件的分配方法
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