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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究

     

摘要

采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF-PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200~250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极.

著录项

  • 来源
    《电子学报》|2005年第5期|920-922|共3页
  • 作者单位

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

    南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TK514;
  • 关键词

    甚高频等离子体增强化学气相沉积; 微晶硅; 衬底温度;

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