University of Rochester.;
Dark current; Materials science; Metal-semiconductor-metal; Photodetector; Response time; Ultraviolet;
机译:高度太阳盲的紫外线选择性金属半导体 - 金属光电探测器,基于背照射的AlGaN异质结构,具有集成光子晶体过滤器
机译:实验和理论以及持久光电导效应对AlGaN金属-半导体-金属光电探测器的响应分析
机译:具有不对称电极几何形状的底部照明AlGaN基金属半导体金属光电探测器的EQE偏置特性
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的金属-半导体-金属UV光电探测器
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:用于短波红外应用的金属半导体金属GESN光电探测器
机译:双色紫外金属-半导体-金属AlGaN光电探测器
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。