金属-半导体-金属光电探测器高频特性及其光电集成电路的研究

摘要

全文具体安排如下:第一章介绍了光纤通信的发展,对高速光通信中光电器件的发展趋势作了概述,并阐述了该论文研究的实际意义.第二章介绍了选择光电多芯片组件的必要性,并具体阐述了光电多芯片组件的结构、制造工艺及特性.在研究光电多芯片组件结构及组成基础上,第三章和第四章分别针对光电多芯片组件中的两个关键元件:平面结构MSM光电探测器和互阻抗前置放大器进行了分析和设计.第三章首次较完整地给出了金属-半导体-金属光电探测器高频特性的等效电路模型,对器件的分布参数进行了分析,在此模型基础上编写模拟分析程序,分析了MSM光电探测器相关器件参数对器件截止频率的影响,对提高和预测器件高速性能具有意义,并为光电探测器与前置放大器的优化匹配提供了设计参考.第四章则设计了一个用于高速接收系统中的GaAs MESFET 前置放大器,并综合考虑电路性能及其工艺技术,给出了一套可行的技术方法和参数,并用PSPICE软件对其高频特性进行了模拟.