公开/公告号CN109698250B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中南大学;
申请/专利号CN201811603514.0
申请日2018-12-26
分类号H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/108(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构43001 长沙永星专利商标事务所(普通合伙);
代理人周咏;林毓俊
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
入库时间 2022-08-23 11:27:33
机译: 半导体芯片具有在栅极水平栅极上具有矩形形状的栅极电极特征并且在第一金属垂直栅极的至少八条第一金属网格线上具有矩形形状的第一金属结构的区域
机译: 使用金属基前体的N型金属氧化物半导体(NMOS)金属栅极材料的方法和装置
机译: 包含集成金属氧化物半导体晶体管的电路和用于制造该栅极金属化物的方法,该栅极金属化物由元素或金属或铌元素的金属或金属硅化物构成。