Interface Engineering and Bulk Trap Investigations in GaN-on-Si Lateral Heterojunction Power Devices

著录项

• 作者

  Yang, Shu.;

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• 作者单位

  Hong Kong University of Science and Technology (Hong Kong).;

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• 授予单位 Hong Kong University of Science and Technology (Hong Kong).;
• 学科
• 学位 Ph.D.
• 年度 2014
• 页码 145 p.
• 总页数 145
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI10903417;
• 关键词

  Bulk; Engineering; Gan-on-si; Heterojunction; Lateral; Power; Trap;

  机译：大部分;工程;Gan-On-Si;异结合;侧;力量;陷阱;
• 入库时间 2022-08-17 12:01:38