Michigan State University.;
机译:III-VI层状半导体的电子结构的特定特征:压力和电子结构计算下的结构和光学测量的最新结果
机译:III-VI层状半导体的从头开始电子能带结构研究
机译:II-VI和I-III-VI_2化合物阳离子交叉取代衍生的季硫属化物半导体的电子结构和稳定性
机译:重掺杂II-Vi半导体中的缺陷结构
机译:III-VI半导体和氧化物:硒化镓,硒化铟和氧化镓的电子结构,表面形态和过渡金属掺杂。
机译:p型单层II-VI半导体SrS和SrSe中的磁性
机译:II-VI电子结构的逼真紧束缚模型 半导体
机译:具有可重复且稳定的缺陷结构的II-VI化合物半导体晶体的生长。