...
机译:II-VI和I-III-VI_2化合物阳离子交叉取代衍生的季硫属化物半导体的电子结构和稳定性
Department of Physics, MOE Key Laboratory of Computational Physical Sciences and Surface Science Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433, China;
Department of Physics, MOE Key Laboratory of Computational Physical Sciences and Surface Science Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433, China;
National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80401, USA;
National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80401, USA;
theory of crystal structure; crystal symmetry; calculations and modeling; semiconductor compounds; electronic structure of liquid metals and semiconductors and their alloys; strain-induced splitting;
机译:II-VI复合半导体中深供体和空位的电子结构和超精细相互作用
机译:扫描隧道显微镜研究的纤锌矿II-VI族复合半导体劈裂面的电子结构
机译:纤锌矿和锡矿四方硫族化物半导体的纤锌矿衍生多型体
机译:关于III-V和II-VI半导体化合物的理想(001)表面的价带的电子带结构的经验计算综述
机译:新型三元和四元窄带隙半导体的原子和电子结构。
机译:I2-II-IV-VI4硫族化物半导体中的自然中间带
机译:II-VI化合物半导体膜的制备及其电子性质及太阳能电池的应用。
机译:II-VI化合物半导体的纯化,可控掺杂和晶体生长。