用于II-VI族半导体的新型湿蚀刻剂及方法

摘要

本发明提供了一种新型蚀刻II-VI族半导体的蚀刻剂。该蚀刻剂包括高锰酸钾和磷酸的水溶液。该蚀刻溶液可以以较快速度蚀刻II-VI族半导体，但往往与III-V族半导体更不易反应。所提供的试剂可用于蚀刻II-VI族半导体的方法中。