The University of Texas at Austin.;
机译:应变介导的带隙还原,光谱拓宽和载体迁移率提高甲基丙烯/锡碘化物钙锌矿
机译:使用带隙工程化的高κ捕获层提高多层单元非易失性存储器的性能
机译:通过使用带隙工程化的高*陷阱层提高多层单元非易失性存储器的性能
机译:用于带隙和移动工程的IV组半导体材料的紧张
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:应变工程二维MoS2作为负极材料以增强Li / Na离子电池的性能
机译:应变工程的二维MOS2作为阳极材料,用于性能增强LI / Na离子电池