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底琳佳; 戴显英; 宋建军; 苗东铭; 赵天龙; 吴淑静; 郝跃;
西安电子科技大学微电子学院;
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室;
西安710071;
双轴张应变Ge1-xSnx; k·p方法; 能带结构; 迁移率;
机译:通过双轴应变和外部电场对部分氯化石墨烯(C_4CI)纳米片的带隙调制:计算研究
机译:应变对双轴应变硅反型层中电子有效迁移率的影响:通过原子力显微镜测量和久保格林格林迁移率计算的实验和理论分析
机译:应变介导的带隙还原,光谱拓宽和载体迁移率提高甲基丙烯/锡碘化物钙锌矿
机译:双轴应变对SnO2带隙的影响:第一性原理计算
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:锗中锡的非平衡感应:直接带隙Ge1-xSnx纳米线
机译:金红石型铅/二氧化锡中的大带隙调谐和应变控制半导体到无间隙/能带反转的半金属过渡
机译:双轴应变对InGaas / Inp系统的能带吸收光谱的影响
机译:确定数字打印机机器的辊隙的泵送特性的方法,涉及基于笔尖前面的材料带的张力值的比较来确定辊隙的泵送特性。
机译:半导体器件的移动计算设备通讯的设备移动计算系统,包括基于鳍片晶体管的高迁移率应变通道
机译:双轴压缩应变下<110> Si中电子和空穴迁移率的增强
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