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目录
第一章 引言
1.1 课题研究背景与意义
1.2 国内外发展动态
1.3 主要工作与论文主要内容
第二章 应变硅中载流子的输运特性
2.1 应变硅的基本物理特性
2.2 应变硅中电子的输运特性
2.3 应变硅中空穴的输运特性
第三章 应变硅MOSFET关键技术与器件制备
3.1 应变硅沟道MOSFET工作原理
3.2 低温硅技术
3.3 低温薄栅氧化层的制备
3.4 应变硅MOSFET器件制备与测试
第四章 应变硅MOSFET载流子迁移率增强机理与模型
4.1 硅中的主要散射机制
4.2 应变硅NMOSFET电子迁移率增强机理与建模
4.3 应变硅PMOSFET空穴迁移率增强机理与建模
4.4 应变硅PMOSFET空穴迁移率的测量与分析
第五章 结论
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的研究成果