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谭静; 李竞春; 杨谟华; 徐婉静; 张静;
电子科技大学微电子与固体电子学院;
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所;
等离子体增强化学气相淀积; 低温热氧化; 栅介质; 应变硅沟道; MOS器件;
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:新型应变硅沟道沟道栅功率MOSFET:设计与分析
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:双材料应变硅三栅(DM Strained-Si TG)SOI MOSFET的短沟道性能研究
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:子太太辐射耦合对N沟道应变硅模块的数值研究
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:电离辐射对siO2区熔融 - 再结晶硅薄膜制备n沟道mOsFET的影响。
机译:在应变SiGe上具有应变硅沟道的沟道MOSFET
机译:绝缘硅MOSFET上具有应变硅沟道的半导体
机译:利用应变硅表面沟道MOSFET制造CMOS反相器和集成电路的方法
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