退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
文摘
英文文摘
致谢
第一章绪论
第二章CVD设备及SiC薄膜生长的物理化学过程
第三章Si衬底上3C-SiC薄膜的异质外延
第四章蓝宝石衬底上SiC薄膜的外延
第五章SiC衬底上SiC薄膜的外延
第六章总结与展望
博士期间成果
郑海务;
中国科学技术大学;
SiC薄膜; 低压化学; 气相外延生长; 微结构; 衬底;
机译:低压化学气相沉积过程中3C-SiC在Si上异质外延生长的表征
机译:通过在Si(l 1 1)衬底上进行低压化学气相沉积法进行SiC异质外延生长
机译:低压氢化物气相外延生长在6H-SiC上生长的非极性AlN的面内结构各向异性和极化拉曼活性模式研究
机译:低压化学气相沉积,生长温度对4H-SiC(0001)基材生长的β-GA203薄膜特性的影响
机译:通过低压金属有机气相外延生长以及氮化镓和氮化铟镓薄膜的表面特性。
机译:化学气相沉积(CVD)中C面SiC和蓝宝石上的石墨碳外延生长
机译:低压热壁化学气相沉积4H-siC外延层的同质外延生长及表征
机译:10-50 nm TEOs(四乙氧基硅烷)LpCVD(低压化学气相沉积)薄膜的电学特性
机译:用于在低温带和低压带中在涂层基质的表面上沉积涂层膜的涂层的化学气相沉积Sic涂层方法
机译:SIC的外延生长装置和SIC外延薄膜的生产
机译:化学气相沉积法SiC薄膜的生产方式
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。