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王紫博;
南京航空航天大学;
机译:在标称电压下工作的45nm和28nm大容量基于CMOS SRAM的FPGA中电子引起的单事件翻转
机译:具有8 T SRAM单元和数据相关写入辅助功能的32 kb 0.35–1.2 V,50 MHz–2.5 GHz比特交错SRAM,采用28nm UTBB-FDSOI CMOS
机译:具有位线均衡电路的28nm DP-SRAM,可改善8TDP-SRAM单元的写干扰特性
机译:基于SRAM的组合编码中单粒子效应的评估
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:基于28nm FPGA的多通道直接TOF读数的低资源TDC
机译:使用28nm技术设计一个同步单端口SRAM 1024x32xmux4
机译:在基于sRam的FpGa TmR设计中实现冗余与奇异时钟域的易感性。
机译:当不使用FPGA时,FPGA的SRAM关断电路可以节省功耗
机译:比较输入图案特征和尺寸数据到注册特征和尺寸图案数据的图案识别装置,用于注册特征和尺寸数据的装置,相应的方法和存储介质
机译:具有能够防止N型和P型栅极电极之间的杂质扩散的具有栅极隔离层的SRAM器件的制造方法和SRAM器件
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