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Design A Synchronous Single-Port Sram 1024x32xMUX4 Using 28NM Technology

机译：使用28nm技术设计一个同步单端口SRAM 1024x32xmux4

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Tran Nguyen Phu Phu; Dang Phuong Gia Han; Nguyen Cong Luong; Nguyen Van Cuong;
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年度 2021
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1. Design of High Performance Single-Port 5T SRAM Cell [J] . Chien-Cheng Yu, Ming-Chuen Shiau IOSR journal of electrical and electronics engineering . 2016,第5期

机译：高性能单端口5T SRAM单元设计
2. AN ANALYTICAL APPROACH TO DESIGN A POWER-EFFICIENT SINGLE-PORT CONVENTIONAL SRAM BIT-CELL FOR MOBILE/MULTIMEDIA APPLICATIONS [J] . EKTA SHIVHARE, NEERAJ KR. SHUKLA International Journal of Engineering Science and Technology . 2011,第1期

机译：一种用于移动/多媒体应用的高效节能单端口常规SRAM比特单元的分析方法
3. A novel design of low power and high read stability Ternary SRAM (T-SRAM), memory based on the modified Gate Diffusion Input (m-GDI) method in nanotechnology [J] . Abiri Ebrahim, Darabi Abdolreza Microelectronics journal . 2016,第deca期

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4. Asynchronous 1R-1W dual-port SRAM by using single-port SRAM in 28nm UTBB-FDSOI technology [C] . Harsh Rawat, K. Bharath, Alexander Fell IEEE International System-on-Chip Conference . 2017

机译：通过在28nm UTBB-FDSOI技术中使用单端口SRAM来实现异步1R-1W双端口SRAM
5. Design and Performance Evaluation of 8T SRAM Cell Using FinFET and CMOS at 16nm Technology [D] . Mandadi, Prasanth. 2021

机译：在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
6. Power optimized variation aware dual-threshold SRAM cell design technique [O] . Aminul Islam, Mohd Hasan 2011

机译：功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
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机译：用于28nm 3D CoolCubetm技术的超低电压操作的节能4T基于SRAM位点

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