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2.4.1性能优势
4.3.1过程质量控制
4.4主要参数指标实现
吴会利;
西安电子科技大学;
机译:本地寿命控制IGBT结构在1200V沟槽与新型平面PT-IGBT之间进行硬和软切换时的关断性能比较
机译:富士电机IGBT新制品1200V追加
机译:富士电动工业顶级低损耗额定值1200V离散IGBT
机译:高性能成本效益逆变器设计 - 1200V SPT + SUP> IGBT芯片与CAL4二极管和17mm IGBT模块平台相结合
机译:1200V碳化硅双极结型晶体管的分析和优化。
机译:Box-Behnken设计在通过快速扩展超临界溶液工艺研究工艺参数对乙酰胺微粒生产的影响中的应用
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:反向导电绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有半导体主体,该半导体主体具有形成有n型区域和p型区域的单元区域,其中n型区域和p型区域之间的部分以不同的最小距离形成。
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