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飞兆半导体公司; 电磁感应加热; IGBT; 稳健性; 雪崩; 用具; 低开关损耗; 安全操作; 工作温度; 导通损耗;
机译:飞兆半导体推出新型分立和裸芯片IGBT
机译:扩展了半导体上的IGBT产品,通过1200V器件实现了业界最高的总开关损耗特性
机译:推出耐压达1200V的第八代IGBT,适用于小于10kHz的大功率逆变器。
机译:飞兆半导体的新型NPT 2 IGBT开启了UPS,电机驱动和SMPS市场新时代的大门
机译:使用中红外飞秒激光脉冲的半导体表面改性
机译:飞秒半导体盘激光器进行多光子体内成像
机译:飞兆半导体推出超亮LED
机译:飞兆半导体栅极驱动光电耦合器,FOD3150型,宽温工作评估
机译:半导体装置具有IGBT,该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成,晶闸管远离IGBT
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:清洁半导体晶片的方法,涉及在包含用于接收半导体晶片的晶片保持器的清洗盆中引入兆声波能量,其中确定晶片保持器上的最大兆声波压力
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