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第一章绪论
第三章氧化镓-氮化镓pn异质结二极管导电机理的研究
致谢
阎广硕;
西安电子科技大学;
机译:金刚石/β-GA2O3 PN异质结二极管,由低温直接粘合制造
机译:基于GaN / Sn的超高光响应仪(3.05 A / W)自动紫外线光电探测器:GA2O3 PN结
机译:基于ZnO的Betavoltaic电池PN结和肖特基二极管与时间相关的电性能的比较
机译:基于GaN /β-GA2O3 PN异质结具有石墨烯的宽带紫外光探测器
机译:独立式氮化镓衬底上垂直pn结二极管的穿线位错分析和漏电流减小的研究
机译:基于NiO /β-Ga2O3异质结的高性能深紫外光电探测器
机译:SNO /β-GA2O3垂直PN异质结二极管
机译:对于频率在0.5和18.5 mHz之间的si / siGe异质结pN二极管的等效电路和载波寿命的研究(Undersoekning av Ekvivalenta Kretsen samt Laddningsbaerarnas Livslaengder fr Frekvenser mellan 0,5 och 18,5 mHz i si / siGe Baserade Heterostruktur-Dioder av pN Typ)
机译:具有GA2O3 / SIC异质结的NPN / PNP光电晶体管的制备方法
机译:PN结二极管装置的制造方法以及PN结二极管装置。
机译:PN结二极管和制造PN结二极管的方法
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