GaSe基二维半导体异质结制备及其光电性能研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 二维材料光电探测器的研究现状

1.3 光电探测器的响应机理和性能参数

1.3.1 光电导效应

1.3.2 光伏效应

1.3.3 光热电效应

1.3.4 光电探测器的性能参数

1.4 本文的选题意义和主要内容

第二章 器件的制备工艺和表征方法

2.1 二维材料的制备方法

2.1.1 机械剥离法

2.1.2 液相剥离法

2.1.3 化学气相沉积法（CVD）

2.1.4 上述二维材料制备方法的比较

2.2 二维材料的转移

2.3 电极的制作

2.3.1 光刻技术

2.3.2 金属电极的制作

2.3.3 ITO电极的制作

2.4 器件的表征手段

2.4.1 光学显微镜

2.4.2 原子力显微镜

2.4.3 拉曼光谱

2.5 本章小结

第三章 GaSe/MoS2异质结的制备及其光电性能研究

3.1 引言

3.2 GaSe的光电特性

3.2.1 GaSe基 MSM器件的制备与表征

3.2.2 GaSe基 MSM器件的光电特性

3.3 GaSe/MoS2异质结光电探测器的制备及表征

3.4 GaSe/MoS2异质结光电探测器的光电特性

3.4.1 GaSe/MoS2异质结的光电响应机制研究

3.4.2 GaSe/MoS2异质结的 I-V特性研究

3.4.3 GaSe/MoS2异质结光电特性研究

3.5 本章小结

第四章 电极接触对GaSe/MoS2异质结光电性能增强作用的研究

4.1 引言

4.2 电极接触模式对 GaSe/MoS2异质结光电性能影响的研究

4.2.1 电极的肖特基接触和欧姆接触对 GaSe/MoS2 异质结光电性能的影响

4.2.2 不同金属电极与 GaSe和 MoS2间的接触模式研究

4.2.3 ITO电极与 GaSe和 MoS2间的接触模式研究

4.3 ITO电极对 GaSe/MoS2异质结光电性能增强的研究

4.3.1 ITO电极 GaSe/MoS2异质结的制备及表征

4.3.2 ITO电极 GaSe/MoS2异质结的 I-V特性研究

4.3.3 ITO电极 GaSe/MoS2异质结光电特性研究

4.4 具有不同电极的 GaSe/MoS2异质结光电性能对比研究

4.5 本章小结

第五章 总结与展望

5.1 本文总结

5.2 未来展望

致 谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果