ⅢA--ⅥA二维半导体材料及其异质结的制备、各向异性和光电性能研究

目录

摘要

第一章绪论

1．1前言

1．2过渡金属硫属化物(TMDs)的研究进展

1．2．1TMDs的制备方法

1．2．2TMDs微纳电子器件的研究

1．3基于石墨烯的范德华尔斯异质结垂直器件的研究进展

1．3．1范德华尔斯异质结的介绍

1．3．2垂直石墨烯隧穿电子器件

1．3．3垂直石墨烯三明治光子器件

1．3．4分析总结和同行展望

1．4 ⅢA-ⅤA族二维半导体材料的研究进展

1．4．1 ⅢA-ⅤA族二维材料的结构特性

1．4．2 ⅢA-ⅤA族二维材料微纳器件的研究进展

1．5本论文的研究内容及研究意义

第二章硫硒化亚锡合金(SnS1-xSex)的生长及其各向异性研究

2．1前言

2．2实验部分

2．3结果与讨论

2．3．1二维SnS1-xSex纳米片的形貌、生长过程和晶格类型研究

2．3．2二维SnS0．5Se0．5纳米片的元素能谱表征以及拉曼光谱分析

2．3．3二维SnS0．5Se0．5纳米片的偏振拉曼光谱的研究及其机理分析

2．4本章小结

第三章硫硒化亚锡合金(SnS1-xSex)及其异质结的表征和光电性能研究

3．1前言

3．2实验部分

3．3结果与讨论

3．3．2SnS0．5Se0．5纳米片的场效应晶体管的(光)电性能研究

3．3．3SnS1-xSex纳米片的表征和场效应晶体管的(光)电性质研究

3．3．4 SnS0．25Se0．75纳米片与硅基(Si)垂直异质结的表征分析

3．3．5 SnS0．25Se0．75／Si垂直异质结的(光)电性能研究

3．4本章小结

第四章SnSe2垂直石墨烯异质结的制备、表征和光电性能研究

4．2实验部分

4．3结果与讨论

4．3．1Gr-SnSe2-Gr结构的表征分析

4．3．2Gr-SnSe2-Gr场效应晶体管在依赖厚度下的(光)电研究

4．3．3Gr-SnSe2-Gr器件在栅压调控下的光电性质

4．3．4Gr-SnSe2-Gr器件的电势差和能带排列分析

4．4本章小结

第五章InSe-WSe2垂直石墨烯P-N异质结的制备、表征和光电性能研究

5．1前言

5．2实验部分

5．3结果与讨论

5．3．1垂直Au-InSe-Gr、Au-WSe2-Gr器件的面外输运研究

5．3．2垂直Gr-InSe／WSe2-Gr P-N结的表征分析(拉曼、KPFM及PL)

5．3．3垂直Gr-InSe／WSe2-GrP-N结的电输运性能和光电性质

5．3．4第一性原理计算多层InSe和WSe2的能带结构及其排列分析

5．4本章小结

结论

参考文献

攻读学位期间发表论文

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致谢