基于原子层沉积O3--Al2O3 Flash存储器的研究

目录

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摘要

符号表

1．1引言

1．2半导体存储器概况

1．3 Flash存储单元分类

1．3．1浮栅型存储器单元

1．3．2电荷俘获型存储器单元

1．4 Flash中电荷写入及擦除机制

1．5．1 BE-SONOS存储器件单元

1．5．2 TANOS存储器件单元

1．5．3高κ存储层存储单元

1．6氧化铝薄膜制备工艺

1．7本文研究内容及意义

第二章器件制备工艺及表征测试仪器设备

2．1器件制备工艺设备

2．1．1原子层沉积设备

2．1．2热蒸发镀膜

2．1．3管式炉

2．1．4磁控溅射

2．2表征测试仪器

2．2．1原子力显微镜

2．2．2 X射线光电子能谱分析

2．2．3半导体器件参数分析仪

2．3本章小结

第三章器件工作原理及制备工艺

3．1 MOS器件的工作原理及制备工艺

3．1．1 MOS器件工作原理

3．1．2氧化层缺陷对MOS器件性能的影响

3．1．3 MOS器件测试

3．1．4 MOS器件制备工艺

3．2 IGZO-TFT器件工作原理及制备工艺

3．2．2 IGZO-TFT器件性能分析

3．2．3 IGZO-TFT器件制备工艺

3．3本章小结

第四章O3-Al2O3薄膜制备及分析

4．1衬底自然氧化层的影响

4．1．1衬底清洗工艺

4．1．2不同清洗方法处理的衬底上制备的O3-Al2O3薄膜电学性能对比

4．2 O3 dose时间的影响

4．2．1不同O3 dose条件下MOS器件性能

4．2．2不同O3 dose条件下TFT器件性能

4．3生长温度的影响

4．3．1薄膜分析

4．3．2不同温度条件下MOS器件性能

4．3．3不同温度条件下TFT器件性能

4．3．4 Bias stress测试

4．4本章小结

第五章电荷俘获型存储单元制备及其分析

5．1电荷俘获型存储单元结构

5．2电荷俘获型存储单元制备工艺

5．3电荷俘获存储单元性能测试

5．4本章小结

6．1文章总结

6．2前景展望

致谢

参考文献

攻读硕士期间的研究成果