GLSI多层铜布线钌阻挡层CMP界面腐蚀的研究

目录

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第一章 绪论

1.1 课题研究背景

1.1.1 集成电路的发展

1.1.2 多层铜互连技术的发展

1.2 化学机械平坦化（CMP）

1.3 阻挡层研究现状

1.3.1 新型铜互连扩散阻挡层的性能和作用机制

1.3.2 新型阻挡层材料钌（Ru）的应用

1.4 多层铜互连阻挡层CMP研究现状

1.4.1 多层铜互连阻挡层CMP中界面腐蚀的研究

1.4.2 金属Ru和Cu界面腐蚀的研究现状

1.5 论文研究内容及意义

第二章 实验设备及方法理论

2.1 主要实验设备

2.1.1 电化学工作站

2.1.2 原子力显微镜

2.2 电化学分析方法

2.2.1 开路电位(Open Circuit Potential, OCP )

2.2.2 动电位极化曲线

2.3 化学机械抛光方法

2.4 理论分析

2.4.1 优先吸附理论

2.4.2 螯合理论

2.5 本章小结

第三章 pH 值和氧化剂浓度对Cu/Ru 界面腐蚀的影响

3.1 不同pH值对Cu/Ru 界面腐蚀的影响

3.2 KIO4浓度对Cu/Ru 界面腐蚀的影响

3.3 本章小结

第四章 螯合剂和活性剂对Cu/Ru 界面腐蚀的影响

4.1 FA/O Ⅱ型螯合剂对Cu/Ru界面腐蚀的影响

4.2 FA/O Ⅰ型非离子表面活性剂对Cu/Ru 界面腐蚀的影响

4.3 活性剂对Cu、Ru 表面形貌的影响

4.4 本章小结

第五章 抑制剂对Cu/Ru 界面腐蚀的影响

5.1 抗坏血酸对Ru 电化学的影响

5.2 铜抑制剂对Cu 电化学的影响

5.3 抑制剂协同作用对Cu/Ru电偶腐蚀的影响

5.4 腐蚀抑制剂对Cu 和Ru CMP的影响

5.5 本章小结

第六章 结论

6.1 总结

6.2 创新点

6.3 展望

参考文献

攻读学位期间所取得的相关科研成果

致谢