声明
第一章 绪论
1.1引言
1.2电阻式随机存储器(ReRAM)
1.2.1忆阻器的介绍
1.2.2电阻开关现象
1.3本论文的研究意义和内容
1.3.1本论文的研究意义
1.3.2本论文的研究内容
第二章 BaTiO3薄膜的光电性质及其物相分析
2.1 BaTiO3薄膜的制备
2.2BaTiO3薄膜的光电性质及其物相分析
2.2.1BaTiO3薄膜的光电特性
2.2.2BaTiO3样品物相分析
2.3本章总结
第三章 ITO/BiFeO3/Al2O3/Ag多层膜阻变特性
3.1ITO/BiFeO3/Al2O3/Ag薄膜的制备
3.2ITO/BiFeO3/Al2O3/Ag薄膜的开关特性研究
3.2.1ITO/BiFeO3/Al2O3/Ag薄膜电阻开关特性曲线
3.2.2ITO/BiFeO3/Al2O3/Ag薄膜电阻开关机理解释
3.3本章总结
第四章 Si/Pt/Al2O3/BiFeO3/ITO多层膜阻变特性
4.1Si/Pt/Al2O3/BiFeO3/ITO器件制备
4.2Si/Pt/Al2O3/BiFeO3/ITO薄膜的电阻开关特性
4.3本章总结
第五章 结论
参考文献
硕士期间发表论文情况
致谢
西南大学;